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《模拟集成电路的分析与设计》pdf版免费下载

2018-10-13
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本书的主要内容包括:集成电路有源器件模型,双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术,单晶体管和多晶体管放大器,电流镜、有源负载及其电压和电流参考值,输出级,单端输出的运算放大器,集成电路的频率响应,反馈,反馈放大器的频率响应与稳定性,非线性模拟电路,集成电路中的噪声,全差分运算放大器。 本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。 模拟集成电路的分析与设计目录第一章 集成电路放大器件模型  引言  pn结的耗尽区   势垒电容   结击穿  双极型晶体管的大信号特性   正向放大区的大信号模型   集电极电压对正向放大区大信号特性的影响   饱和区和反向放大区   晶体管击穿电压   工作条件决定晶体管电流增益  双极型晶体管的小信号模型   跨导   基区寄生电容   输入电阻   输出电阻   双极型晶体的基本小信号模型   集电极--基极电阻   小信号模型的寄生单元   晶体管频率呼应特性  金属氧化物效晶体管的大信号特性   MOS器件的转移特性   双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较   栅-源电压的分解   阈值的温度独立性   MOS器件的电压限制  MOS晶体管的小信号模型   跨导   栅-源以及栅-漏固有电容   输入电阻   输出电阻   MOS晶体管的基本小信号模型   衬底跨导   小信号模型的寄生单元   MOS晶体管的频率呼应  MOS晶体管的短沟道效应   水平场中的速率饱和   跨导和特征频率   垂直场中的迁移率下降  MOS晶体客中的弱反型   弱反型中的漏极电流   弱反型区中的跨导和特征频率  晶体管中的衬底电流 附录   有源器件参数列表第二章 双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术  引言  集成电路产生的基本过程   硅的电阻率   固态扩散   扩散层的电特性   光刻工艺   外延生长   离子注入   局部氧化   多晶硅的淀积  高压双极型集成电路的制造  高级双极型集成电路的制造  双极型模拟集成电路中的放大器件   npn型晶体管集成电路   npn型晶体管集成电路  双极型集成电路中的无源元件   扩散电阻    外延生长电阻和外延夹断  ……第三章 单级放大器与多级放大器第四章 镜像电流源、有源负载和基准源第五章 输出级第六章 单端输出的运算放大器第七章 集成电路的频率响应第八章 反馈第九章 反馈放大器的频率响应第十章 非线性模拟电路第十一章 集成电路的噪声第十二章 全差分运算放大器。

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